题　目：金刚石对顶砧高压技术在二维材料科学中的应用
报告人：陈亚彬
时　间：5月10日（周三 ），上午9:40-10:10
地　点：同济大学物理馆512会议室

报告摘要：

二维层状纳米材料由于其种类的多样性(包括过渡金属硫族化合物，石墨烯，六方氮化硼等)和丰富的物理性能(如带隙跨越宽度大等)而备受关注。金刚石对顶砧是一种产生静高压力（1 GPa = 10⁹ Pa)）的简易实验工具。在压力调节作用下，二维材料的面内和面间性能将发生显著变化。报告人将从金刚石对顶砧的工作原理出发，阐述其在二维材料科学中的诸多应用：1）首先介绍一种新型的二维层状半导体材料—黑砷，其具有与黑磷类似的层状结构，并利用角分辨光电子能谱探究了其沿锯齿型边和扶手椅型边方向的能带结构，其次测量了其比黑磷更强的各向异性电学和光学性能；2）利用金刚石对顶砧技术研究了黑砷的高压相变行为，结合原位拉曼光谱测量，发现其在0.7 GPa不可逆地转变为层状的半导体型灰砷，在22 GPa 可逆地转变为非层状的金属型立方砷；3）最后利用金刚石对顶砧高压技术发展了对MoS₂等层状材料层间相互作用力的标定方法，计算得到了MoS₂的层间作用力约2.4 GPa，发现作用力主要来自于波函数的耦合，与理论计算结构一致。

个人简介：

陈亚彬，男，1984年4月生于河北省保定市。2008年7月本科毕业于兰州大学化学化工学院基地班，取得学士学位；随后被保送至北京大学化学与分子工程学院，师从张锦教授，主要从事单壁碳纳米管的结构控制制备及表征，于2013年9月取得博士学位。2013年11月至今，在加州大学伯克利分校和劳伦斯伯克利国家实验室从事博士后研究，合作导师Prof. Junqiao Wu，专注于低维半导体材料的光电性能及高压力下的结构相变和物性研究。共发表SCI论文近30篇，被引用1150余次，包括Acc. Chem. Res., Nature Comm., Nano Lett., Adv. Mater.等。